EnglishTürkçe
Anasayfa - , - Dynex Semiconductors Rectifier Diodes 6000V DRD3770A52

Ürün Detayı

Dynex Semiconductors Rectifier Diodes 6000V DRD3770A52

  • 410A’dan ortalama 8800A’ya kadar olan derecelendirmeler
  • 1400V ile 8500V arasında voltaj değerleri
  • Yüksek aşırı yük kapasitesi
  • Yüksek verimlilik için düşük kayıplar
  • Uzun çalışma ömrü için hava geçirmez
  • Düşük ısıl direnç

Açıklama

PDF: Dynex Semiconductors Rectifier Diodes 6000V DRD3770A52

VRRM 5200 V
IF 3768 A
IFSM 70 kA
Rth 0.0065 °C/kW
Boyut 48 x 100 x 35 mm

Uygulamalar

Özel uygulamalar arasında, diyotların jeneratörün rotorunda karşılaşılan yüksek G kuvvetlerine dayanmak için özel olarak yapıldığı güç jeneratörleri için dönen uyarıcılar bulunur. Ayrıca özel olarak geliştirilen, Cenevre’deki CERN’deki LHC’nin süper iletken mıknatıslarını korumak için kullanılan diyotlar ve deneysel nabız güç füzyon reaktörlerinde kullanılmak üzere 50kV elde etmek için bir seramik pakette çoklu pelet içeren yüksek güçlü çığ diyotlarıdır.

Özellikler

  • 410A’dan ortalama 8800A’ya kadar olan derecelendirmeler
  • 1400V ile 8500V arasında voltaj değerleri
  • Yüksek aşırı yük kapasitesi
  • Yüksek verimlilik için düşük kayıplar
  • Uzun çalışma ömrü için hava geçirmez
  • Düşük ısıl direnç
Özellikler
0

My wishlist

Open chat